لغزش فاز کوانتوم در نانوسیم های ابررسانا
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم
- نویسنده امین مسیحی
- استاد راهنما محمد علی شاهزمانیان مرضی محسنی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1391
چکیده
هر گاه نمونه ابررسانایی که به شکل سیم یا حلقه نازک ساخته شده در حد ابعاد نانو باشد، یعنی پهنای نمونه ابررسانا از طول همدوسی و عمق نفوذ کوچک تر باشد، ابررسانای یک بعدی یا شبه یک بعدی خواهیم داشت.در ابررسانای یک بعدی است که قادر خواهیم بود به مرز پدیده ابررسانایی بسیار نزدیک شویم و چگونگی نظم ابررسانایی را در آن ها بررسی کنیم. یکی از پدیده های بسیار مهمی که در این پژوهش به آن پرداخته ایم بررسی افت وخیزهای ابررسانایی است. پس از کشف پدیده ابررسانایی به عنوان افت ناگهانی مقاومت به مقدار بی اندازه کوچک غیرقابل اندازه گیری، دریافتند که غالباً گذار فاز ابررسانایی به هیچ وجه ناگهانی نیست و مقاومت اندازه گیری شده نمونه r(t) در نزدیکی دمای بحرانی می تواند پهنای متفاوتی داشته باشد. دلیل فیزیکی در پشت چنین پهن شدگی گذار، افت و خیزهای ابررسانایی است. حال این سوال مطرح است که آیا ابررسانایی در دستگاه های (شبه) یک بعدی می تواند باقی بماند یا افت و خیزها موجب توقف همدوسی فاز شده و در نتیجه هر جریانی را آشفته می کنند؟ پاسخ به این سوال هم بهره بنیادی و هم اهمیت کاربردی دارد. از یک سو، تحقیقات بر روی این موضوع به طور قطع به آشکار کردن فیزیک جدید کمک کرده و بر نقش مهم افت و خیزهای ابررسانایی در سامانه های یک بعدی، نور بیشتری می افکند، و از سوی دیگر، پیشرفت سریع در کوچک سازی نانو قطعات، افق های جدیدی را در کاربردهای نانو مدارهای ابررسانایی باز می کند و نیازمند درک بهتری از محدودیت های بنیادی برای پدیده ابررسانایی در ابعاد کاهش یافته است ما در این پژوهش به بررسی افت وخیزهای گرمایی وکوانتومی در نانو سیم های ابررسانا پرداخته ایم. در دماهای نزدیک tc طبق نظریه لانگروامبرگاوکارافت وخیز های گرمایی باعث ایجاد مقاومت در نانو سیم ها شده وجریان پایا در نانوسیم برقرار میشود. ما بابسط این نظریه به سمت انرژی های پایین و دماهای پایین تر ازtc رفتیم و مقاومت کمتری را محاسبه کردیم.درواقع با کاهش دما تعداد افت وخیزهای گرمایی کاهش می یابد ومقاومت قابل ملاحظه ای مشاهده نمی شود. اما پیشرفت های اخیر در فن آوری لیتوگرافی اجازه ساخت نانوسیم های ابررسانا با قطر بسیار کوچک (تا 10 نانومتر و حتی پایین تر) را می دهند که حتی نزدیک هم جریان کنترل شده ابررسانایی از خود نشان می دهند.حال اگر افت و خیزهای گرمایی در نزدیک مقاومت قابل اندازه گیری ایجاد نمی کنند چه عاملی باعث جریان کنترل شده ابررسانایی می شود؟ این احتمال را می توان در نظر گرفت که لغزش های فاز نه تنها به علّت افت و خیزهای گرمایی بلکه در نتیجه افت و خیزهای کوانتومی پارامتر نظم ابررسانشی رخ می دهند. یک نظریه میکروسکوپی از فرآیندهای qps در نانوسیم های ابررسانا توسط فن کنش موثر زمان موهومی توسعه داده شده است. این نظریه تا t=0 قابل اجرا بوده و به طور صحیحی برای آثار ناترامزمندی، اتلافی و الکترومغناطیسی در طی رویداد qps در نظر گرفته می شود. در این پژوهش پدیده تونل زنی به صورت لغزش فاز کوانتومی میدان پارامتر نظم بیان می شود. در واقع میدان پارامتر نظم ابررسانایی سد پتانسیل ایجاد شده را به شکل گرد شاره هایی تونل می زند.هر رویداد qps شامل دو بخش هسته مرکزی و بخش هیدرودینامیکی اطراف آن می باشد. بخش هیدرودینامیکی qps همانند یک گردشاره سد پتانسیل را تونل میزند. چرخش حول هسته باعث میشود در هربار چرخش میدان پارامتر نظم حتما از مقدار صفر بگذرد. اما هسته qps سد پتانسل را همانند تونل زنی کوانتومی عبور میکند. تابع به محض ورود به سد پتانسیل به شکل نمایی مقدارش صفر میشود.درواقع مغزی qps به شکل فلز عادی مقاومت از خود نشان میدهد ودر این قسمت اتلاف توسط جریان های عادی دارای اهمیت هستند.
منابع مشابه
از ابررسانایی در نزدیکی گذار فاز کوانتمی تا گرافیت ابررسانا
The collapse of antiferromagnetic order as a function of some quantum tuning parameter such as carrier density or hydrostatic pressure is often accompanied by a region of superconductivity. The corresponding phenomenon in the potentially simpler case of itinerant-electron ferromagnetism, however, remains more illusive. In this paper we consider the reasons why this may be so and summaries evi...
متن کاملاز ابررسانایی در نزدیکی گذار فاز کوانتمی تا گرافیت ابررسانا
از بین رفتن نظم پادفرومغناطیسی به صورت تابعی از بعضی پارامترهای کوانتمی مانند چگالی حاملها یا فشار هیدروستاتیکی اغلب با ورود به یک ناحیه ابررسانایی همراه است. گرچه پدیده مربوطه در مورد اصولا ساده تر فرومغناطیس الکترون غیر جایگزیده محسوستر است. در این مقاله ما دلایل اینکه این پدیده چگونه امکانپذیر می باشد را مد نظر قرار داده و شواهدی را که موانع مشاهده این پدیده در چند فرومغناطیس فلزی از سر راه ...
متن کاملرسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...
متن کاملمشخصات پیوندگاههای ابررسانا - فرومغناطیس - ابررسانا با پایانههای ابررسانای یکتایی
We study numerically the electronic heat capacity, spin and charge current in a diffusive Superconductor-Ferromagnetic-Superconductor systems، with singlet superconducting leads and non-uniform ferromagnetic layer. Specially, we focus on ferromagnetic layer with domain wall and conical structures incorporation the spin-active interfaces. We investigate, how the 0-π transition is influenced by n...
متن کاملمطالعۀ رسانش گرمایی نانوسیم های کوانتومی Si و GaAs
در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یکبُعدی، شامل نانوسیمهای نیمرسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش بهکاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان میدهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش مییابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...
متن کاملبررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانهای
در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیرهی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل میشود، بررسی میشود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیکترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادیهای چپ و راست و دیگری آنچه بین هادیهای چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آنها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023